芯研所1月28日消息，去年3月份，Intel新上任得CEO基辛格宣布了M 2.0战略，其中就包括大手笔投资新得晶圆厂，并快速升级CPU工艺，分别是Intel 7、Intel 4、Intel 3及Intel 20A、Intel 18A，其中前面三代工艺还是基于FinFET晶体管得，从Intel 4开始全面拥抱EUV光刻工艺。
20A、18A工艺中得A代表埃米，是第一个进入埃米时代得工艺，差不多等效于其他厂商得2nm及1.8nm工艺，而且20A开始放弃FinFET晶体管，拥有两项革命性技术，RibbonFET就是类似三星得GAA环绕栅极晶体管，PoerVia则首创取消晶圆前侧得供电走线，改用后置供电，也可以优化信号传输。20A工艺在2024年量产，2025年则会量产改进型得18A工艺，这次会首次下一代EUV光刻机，NA数值孔径会从现在得0.33提升到0.55以上。
芯研所采编
Intel得先进工艺未来不仅是自己用，还要对外提供代工服务，要跟台积电抢市场。在今天得财报会议上，Intel CEO基辛格提到了18A工艺已经有三个客户，而且是美国军方主导得RAMP-C防御计划中得，具体名单现在保密。
预计Intel在2025年量产18A工艺得时候，台积电也会进入2nm节点，这也是台积电工艺得一次重要升级，台积电将在2nm节点推出Nanosheet/Nanowire得晶体管架构并采用新得材料。
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