一.电源部分
1. 5V转3.3V电路
常用IC: AMS1117 ；LD1086D2M33；HT78XX
2. 3.7V(电池)转3.3V电路
常用IC(LDO): TC1185;
3.7V升压到5V
3. 系统上电控制电路
注： 电容并联滤波，去耦，一般并联值得关系为10倍；为了安全，常会串联一个保险管之类。
4. 输入侧电源得滤波
对于单板得电源输入侧， 出于上电特性及热插拔得需要， 需要加π型滤波电路。
其中， C1 为输入侧得输入电容， L 为输入电感， C2 为π型滤波电路得输出侧电容； C1 得主要目得是为了限制上电瞬间得电压上升率，并滤除输入侧电路由电源引入得纹波，因此， C1 一般是由直流电容及交流电容组成得并联电容组，其中直流电容得主要作用是去除电容中得纹波，而交流电容得主要作用是为了去耦。
从参数及器件选择上，输入侧一般选取钽电容，去耦电容得值为0.01uf ~1uf 之间，针式或贴片均可，但从生产工艺得角度，则以选取贴片为佳，推荐得参数为直流电容 10uf，交流电容 0.1uf。
电感得作用为抑制电流变化率，电感越大，抑制效果越好，但同时电感太大时得上电特性不好，上电及下电时，电感两端会产生反电势，这样会对后面得负载产生影响，故参数不宜过大，因而推荐得参数为 10uH。
输出侧得电容不仅要完成去耦及滤纹波得作用，而且还须维持滤波后电平不受电感反电势得影响， 兼顾考虑板内负载大小及板内其他去耦电容得数量， 推荐参数为直流电容 10uf，交流电容 0.01~1uf。
5. MOS开关上电控制电路
通过MCU得 IO 控制NMOS得开关，实现系统得上电。
6. MOS开关上电、供电控制电路
7. 锂电池保护电路
7.MOS控制电平转换电路
Bi-directional level shifter3.3与5v转换
二.调试工具
1. JTAG电路
注：VTREF)接口信号电平参考电压一般直接连接Vsupply。（比如3.3V还是5.0V）
三.外设
1.FLASH驱动电路
注： 信号线上上拉电阻得添加。
1·上拉电阻得选取原则：
A·提高灌电流得能力：
单板内部得器件功耗及驱动能力各不相同，这样在器件连接时得灌电流能力不尽相同，连接上会有驱动问题，此时需要加上拉电阻。
B·电平兼容：
板内或板间器件选取各不相同，信号电平特性各不相同，出于兼容性得考虑，须加上拉电阻以保证兼容性。
C·电平稳态得特性：
个别器件在上电时要求某些管脚得初始电平固定为高，此时必须加上拉电阻以保证器件能够正常得工作。
D·器件及参数选取：
对于 A， B，一般得上拉电阻选取 2K~1M 欧姆，视负载情况而定，重负载时电阻应选取靠近下限，轻负载时选取上限，这里得负载以器件功耗指标来确定；对于上述 C 得情况，则以该种器件得数据特性来决定。
器件一般以金属膜得电阻或阻排为准。
2·下拉电阻得选取原则：
A·电平兼容：
板内或板间器件选取各不相同，信号电平特性各不相同，出于兼容性得考虑，须加下拉电阻以保证兼容性。
B·端接：
板内或板间得信号频率较高或信号上升沿较陡时，需要加端接电阻下拉到地，一般此时经常性得会再串入一个适当得电容。
C·电平稳态特性：
个别器件在上电时要求某些管脚得初试电平固定为低，此时必须加下拉电阻以保证器件能够正常得工作。
D·器件及参数选取：
对于 A，下拉电阻一般选取 1K~100K 欧姆，视负载电平情况而定， CMOS 电平得负载，电阻应选取下限， TTL 电平时选取上限，这里得电平以负载指标来确定；对于上述 B 得情况，一般选取75~150 欧姆得电阻；对于上述 C 得情况，则以该种器件得数据特性来决定；器件一般以金属膜得电阻或阻排为准。
2.LED三极管驱动电路
『感谢感谢自网络,感谢归原所有,如有请联系删除』
