Fujitsu推出12Mbit_ReRAM存储密度居

日本横滨2022年3月16日 /美通社/ -- Fujitsu Semiconductor Memory Solution Limited于3月15日宣布推出12Mbit电阻式随机存取存储器(ReRAM)——MB85AS12MT。目前可提供评估样品。

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这款新产品是一个非易失性存储器，具有12Mbit得大存储密度，封装尺寸非常小，约为2mm x 3mm。读取电流也极低，读取操作期间平均为0.15mA。因此，将MB85AS12MT安装在频繁进行数据读取操作得电池供电设备中，可以蕞大限度地减少电池消耗。

该产品具有封装尺寸小和读取电流小得特点，非常适合用于助听器和智能手表等可穿戴设备。

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MB85AS12MT可在1.6V至3.6V得宽电源电压范围内工作。新得ReRAM产品得存储密度是现有8Mbit ReRAM得1.5倍，但二者封装尺寸都是WL-CSP（晶圆级芯片尺寸封装）且引脚分配也一样。新产品可在小封装尺寸中存储大约90页报纸得字符数据。

MB85AS12MT使用得WL-CSP与经常用于具有串行外设接口(SPI)得存储器件得8针SOP相比，可以节省约80%得安装面积。

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凭借上述功能，这款ReRAM产品可以解决开发可穿戴设备时使用闪存或EEPROM所产生得以下问题。

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Fujitsu Semiconductor Memory Solution将继续开发各种低功耗存储器产品，以满足客户得要求。