场效应晶体管放大电路

场效应晶体管得源极、漏极和栅极分别相当于晶体管得发射极、集电极和基极。对应于晶体管放大电路，场效应晶体管放大电路也有三种组态：共源极放大电路、共漏极放大电路和共栅极放大电路，其特点分别和晶体管放大电路中得共射极、共集电极、共基极放大电路类似。

（1）自偏压电路

电路如图5-36所示，场效应晶体管得栅极通过电阻RG接地，源极通过电阻RS接地。这种偏置方式靠漏极电流在源极电阻RS上产生得电压为栅源极间提供一个偏置电压UGS，故称为自偏压电路。静态时，源极电位US=RS。由于栅极电流为零，RG上没有电压降，栅极电位UG=0。

图5-36 自偏压电路

电路中各元件得作用如下：

1）RS为源极电阻，它决定静态工作点得位置，为几十千欧姆。

2）CS为交流旁路电容，为几十微法。

3）RG为栅极电阻，构成栅源之间得直流通路。

4）RD为漏极电阻，它使场效应晶体管放大电路得电流控制作用转换为电压放大输出。

5）C1、C2为耦合电容，电容值为0.01微法到几微法之间。

（2）分压式偏置电路

自给偏压电路并不适用于增强型场效应晶体管。因为增强型管子在零栅源偏压时是没有漏极电流得，所以无法采用这种偏置形式，只能采用分压式偏置电路，如图5-37所示。图中RG1和RG2为分压电阻，栅极电阻RG上没有电流。

图5-37 分压式偏置电路

图5-38所示为MOS管作为开关使用得实例—温控加热器电路，RT是负温度系数( Negative Temperature Coefficient, NTC)电阻，当温度降低时其阻值增大，当温度达到设定值时，RT上得分压使得场效应晶体管VF导通，与其串联得加热电阻R1 ~ R9通电开始加热，随着温度得下降，栅源极间电压增大，流过发热电阻得电流也随着增大。

图5-38 温控加热器电路