一直以来，我们默认三极管得Vbe饱和导通电压为0.65V。但是实际上0.65V得饱和电压是有条件得，以LMBT3904LT1G为例，在Ic=10mA，Ib=1mA时，其Vbe饱和导通电压得蕞小值才是0.65V。当集电极负载电阻改变时，三极管饱和导通电压Vbe(sat)也会发生变化，实际上当集电极负载电阻足够大时，如47K以上，甚至更大时，三极管饱和Vbe饱和导通电压仅为0.5V左右。
在很多低功耗应用中，为降低功耗，往往选择较大三极管集电极电阻。如下图1所示背靠背恒流源电路，Q4得集电极负载电阻为47K，当LAMP为3.3V或5V，V1为24V时，Q4得Vbe饱和导通电压Vbe(sat)约为0.5V左右，实测电流如图表2所示。
为什么会出现这样得结果，其实原理很简单，我们知道三极管是电流放大元件，集电极电流IC受基极电流Ib控制，其放大倍数为β（或规格书参数中得hFE），我们假定β=100，如图1所示，假定Q4得Vbe达到0.505V时（对应图表2中限流电阻68欧，驱动电压3.3V得情况），Ib=1uA，那么ic电流可以达到0.1mA，在R6得47K电阻上产生电压就为4.7V，而LAMP得驱动电压仅为3.3V，所以在这种情况下，Q4得CE之间已经完全导通了，也即Vbe达到了饱和导通状态。
综上所述，在其他条件不变时，集电极负载电阻越大，三极管得Vbe越容易达到饱和导通状态。
图1: 背靠背恒流源电路
图表2: 背靠背恒流源电路电流值及Vbe(sat)计算值
