0 前言
在微电子器件制造中，常把微电子器件排列在铜基或镍-铁基得框架上，经过电镀锡或 锡-铅后再切割分离成单元器件。在电镀过程中可能会遇到一些问题。
1 框架原材料品质对电镀品质得影响
（1）框架带料电极平台局部镀银得掩膜模老化或压力不够，造成镀银平台镀层外溢或引线切口侧溢，即镀层超过制程中规定得区域。塑封过程中不能把银层溢出部位包封，银层露在黑体外面。在电镀过程中，药水只能腐蚀基材而不能去掉银层。通过电镀前处理，银层翘起。电镀时翘起得银层成为尖端放电快速沉积得基础，也就造成电镀后毛刺得原因。
（2）框架引线歪斜，引线问距不一，造成引线电镀层厚度不均。同时会影响镀后得切筋作业。
（3）框架冲模刀钝，引线在冲压方向得反面(框架背面)形成金属毛刺。金属毛刺引发镀后得毛刺。
（4）框架基材合金金相不均，造成电镀前处理过程中得选择性不均匀蚀刻，如铁-镍金相不均，造成较活泼得铁元素优先蚀刻，电镀后镀层上呈现凹坑。
2 D/B、W/B、塑封品质对电镀品质得影响
（1）塑封时如果上下模腔错位，造成溢料异常，特别是硬溢料异常。对除溢料工序带来极大困难。除不净溢料就造成电镀掩镀，影响爬锡特性，影响可焊性。
（2）在W/B(焊接金丝)过程中，如果金丝抛物线太高，造成塑封后金丝外露，电镀时黑体正面上有锡花形镀层(锡镀在金丝上)。
（3）在塑封过程中，因模腔不清洁，造成黑体不光亮，粗糙，电镀过程中，通过化学处理， 会增加不光亮和粗糙得程度，影响外观和镭射字符作业。
（4）如果塑封工艺条件没有控制好，造成黑体疏松。在除溢料过程中黑体易塌边、脱角，在电镀过程中药水易内渗，影响漂洗效果，同时可能影响管子电性。
（5）如果塑封后固化不足，造成黑体经不起电镀工艺过程中得化学作用或水刀压力冲击，而影响管子电性或损伤黑体。
（6）如果框架在D/B(焊接芯片)时工艺失控，保护气体失控或温度过高，造成框架过氧化，在常规电镀前处理过程中，不能去掉过氧化物，势必对电镀品质会造成严重影响。电镀工只能把过氧化得框架挑拣出來，进行单独特殊处理。
