过去一年，Nor Flash的价格飞涨和前景看好，让大家对编码式存储器重燃了信心，包括兆易创新和旺宏在内的众多厂商在去年也从中挣到盘满钵满。在很多人看来，这种略显古老的产片没啥技术含量，但从Nor Flash的发展看来，他们同样面临各种各样的挑战。
日前，北京大学微纳电子学研究学院蔡一茂在一篇名为《NOR Flash:Scaling 的挑战、可靠性及表征》的演讲中，谈到了Nor Flash的各种挑战，现将其摘录如下，与广大读者分享。
闪存的演变
根据Nor Flash的原理，它是使用CHE来编码，然后使用FN Tunning 来擦除，而电荷注入机制对这两个因素的印象很大，我们来分别看一下其考量和解决办法：
首先看CEH。据了解，CHE的注入对编码速度和lg有明显的提升，同时能够扩大对离子化率的影响（高横向电场），还能影响收集效率（高垂直电场）。但对CHE来说，如下图所示，影响他们的因素也有很多。
为此，可以使用TCAD仿真来模拟CHE注入的影响，提高产品性能。
TCAD仿真
介乎Flaoting Gate和Bulk之间的FN Tunning同样也会受到各种因素的影响。
FN Tuneling
这时候使用MLC方案则能完美解决相关问题。
SLC和MLC的对比
对于Nor Flash来说，我们还需要考虑一下可靠性的问题。例如Over-Erase ，比如Nor Disturb，还有隧道氧化和可靠等问题。这就需要一些很好的解决方法。另外，在微缩的过程中，Nor Flash还会面临Random Telegraph Signals Noise (RTN)等问题。
由上所述，Nor Flash从设计到生产，再到交付到客户手中，要考量其可靠性、合格性、保持性，同时还要经过保持特性失效分析。经过以上重重考验的NorFlash才能满用户对使用温度（55度），断电数据保持时间 10年，擦写次数 10万次等多方面的需求。
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